Indlæser...
Systemet kan ikke foretage handlingen nu. Prøv igen senere.
Henvisninger pr. år
Dublerede henvisninger
Følgende artikler er flettet i Scholar. Deres
samlede henvisninger
tæller kun for den første artikel.
Flettede henvisninger
Antallet under "Citeret af" inkluderer henvisninger fra følgende artikler i Scholar. Dem, der er markeret med
*
, kan afvige fra artiklen i profilen.
Tilføj medforfattere
Medforfattere
Følg
Nye artikler af denne forfatter
Nye henvisninger til denne forfatter
Nye artikler relateret til denne forfatters videnskabelige undersøgelser
Mailadresse til opdateringer
Udfør
Min profil
Min samling
Metrics
Underretninger
Indstillinger
Log ind
Log ind
Få min egen profil
Citeret af
Alle
Siden 2019
Henvisninger
509
484
h-index
4
4
i10-indeks
4
4
0
120
60
30
90
2018
2019
2020
2021
2022
2023
2024
23
75
117
75
88
88
40
Offentlig adgang
Se alle
Se alle
4 artikler
0 artikler
tilgængelige
ikke tilgængelige
Baseret på krav i forbindelse med finansiering
Følg
Mads Eide Ingebrigtsen
University of Oslo
Verificeret mail på smn.uio.no -
Startside
Artikler
Citeret af
Offentlig adgang
Titel
Sortér
Sortér efter henvisninger
Sortér efter årstal
Sortér efter titel
Citeret af
Citeret af
År
Iron and intrinsic deep level states in Ga2O3
ME Ingebrigtsen, JB Varley, AY Kuznetsov, BG Svensson, G Alfieri, ...
Applied Physics Letters 112 (4), 042104
, 2018
259
2018
Impact of proton irradiation on conductivity and deep level defects in β-Ga2O3
ME Ingebrigtsen, AY Kuznetsov, BG Svensson, G Alfieri, A Mihaila, ...
Apl Materials 7 (2)
, 2019
198
*
2019
Bulk β-Ga
2
O
3
with (010) and (201) Surface Orientation: Schottky Contacts and Point Defects
ME Ingebrigtsen, L Vines, G Alfieri, A Mihaila, U Badstübner, ...
Materials Science Forum 897, 755-758
, 2017
30
2017
Generation and metastability of deep level states in β-Ga2O3 exposed to reverse bias at elevated temperatures
ME Ingebrigtsen, AY Kuznetsov, BG Svensson, G Alfieri, A Mihaila, ...
Journal of Applied Physics 125 (18)
, 2019
20
2019
Electrical characterization and identification of deep levels in β-Ga2O3
ME Ingebrigtsen
2
2019
Band gap engineering of the ZnO/Si heterojunction using amorphous buffer layers
ME Ingebrigtsen
2014
Systemet kan ikke foretage handlingen nu. Prøv igen senere.
Artikler 1–6
Vis flere
Privatliv
Vilkår
Hjælp
Om Scholar
Søg i Hjælp